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元件参数资料
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参数目录38206
> NTD12N10T4 MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
型号:
NTD12N10T4
RoHS:
否
制造商:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
NTD12N10T4 PDF
产品变化通告
Product Discontinuation 20/Aug/2008
标准包装
10
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
165 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
550pF @ 25V
功率 - 最大
1.28W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
DPAK-3
包装
标准包装
其它名称
NTD12N10T4OSDKR
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